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單晶薄膜碳化硅片高溫燒結電爐
作者： 發布時間：2023-05-15 瀏覽次數：8928
碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。 SiC器件是指以碳化硅為原材料制成的器件，按照電阻性能的不同分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢，彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷，正逐漸成為功率半導體的主流。
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